Transistor NPN Si BU126

TRANSISTOR NPN SILICIUM BOITIER TO3

Fabricant : Toshiba
Appellation fabricant : BU126 

Indicatif de type : BU126
Matériau du transistor : Si
Polarité : NPN
Dissipation maximale de puissance du collecteur : 30 W
Tension maximale collecteur-base : 750 V
Tension maximale du collecteur-émetteur : 300 V
Courant collecteur maximal : 3 A
Température maximale de fonctionnement de la jonction : 125 °C
Fréquence de transition : 4 MHz
Rapport de transfert de courant direct min : 15
Boîtier : TO3