Transistor NPN Si BDY11

TRANSISTOR NPN SILICIUM 4A

Fabricant : CGE
Appellation fabricant : BDY11/01 

Désignation de type : BDY11
Matériau du transistor : Si
Polarité : NPN
Dissipation de puissance maximale du collecteur : 150 W
Tension collecteur-base maximale : 100 V
Tension collecteur-émetteur maximale : 70 V
Courant de collecteur maximal : 4 A
Température de jonction de fonctionnement maximale (Tj) : 175 °C
Fréquence de transition : 1 MHz
Rapport de transfert de courant direct min. : 10
Paquet : TO3