Transistor N MOSFET BSS123

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Référence de l'article: BSS123

TRANSISTOR N MOSFET PETITS SIGNAUX SO23

Fabricant : ONSEMI / FAIRCHILD
Appellation fabricant: BSS 123 

Type : transistor à effet de champ
Produit : MOSFET Petits Signaux
Type de produit : MOSFET
Technologie : Si
Style de montage : CMS/CMS
Boîtier : SOT-23-3
Polarité du transistor : canal N
Nombre de canaux : 1 canal
Tension de claquage drain-source : 100 V
Courant de drain continu : 170 mA
Résistance Drain-Source : 6 Ohms
Tension grille-source : - 20 V, + 20 V
Tension de seuil grille-source : 800 mV
Charge Grille : 2,5 nC
Température minimale de fonctionnement : - 55 °C
Température de fonctionnement maximale : + 150 °C
Dissipation de puissance : 300 mW
Transconductance directe - Min : 0,8 S
Temps de montée : 9 ns
Type de transistor : 1 canal N
Délai d'arrêt typique : 17 ns
Délai de mise en marche typique : 1,7 ns