RAM - µPD41256-C10

RAM DYNAMIQUE NMOS 256Kbits

Fabricant: NEC
Appellation fabricant : µPD 41256 C10 

La D41256C-10 est une mémoire dynamique à accès aléatoire (DRAM) NMOS haute vitesse d’une capacité de 256 000 bits, organisée en 256 Ko x 1 bit.
Temps d'accès aléatoire :100 ns
Alimentation : 5V
Compatibilité : TTL standard
Type de boîtier : PDIP 16P
Type de montage : Traversant
Faible consommation d’énergie
Température d'utilisation maximum: +70 °C
Température de fonctionnement minimum: 0 °C