Transistor PNP Si 2N3637

TRANSISTOR PNP TO39

Fabricant: MOTOROLA
Appellation fabricant: 2N3637 

Catégorie du produit : Transistors bipolaires - BJT
Technologie : Si
Style de montage : Trou traversant
Boîtier : TO-39-3
Polarité du transistor : PNP
Configuration : Single
Courant CC max. du collecteur : 1 A
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max .: 175 V
Collecteur - Tension de base VCBO : 175 V
Émetteur - Tension de base VEBO : 5 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 300 mV
Pd - Dissipation d’énergie : 1 W
Température de fonctionnement min. : - 65 C
Température de fonctionnement max . : + 200 C
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base : 50 at 50 mA, 10 VDC
Gain de courant CC hFE max .: 150 at 50 mA, 10 VDC
Type de produit : BJTs - Bipolar Transistors