Transistor PNP Ge 2N1100
1,25 €
Référence de l'article:
2N1100-8
TRANSISTOR PNP DE PUISSANCE TO36
Fabricant: MOTOROLA/?
Appellation fabricant: 2N1100
Épaisseur: 8,25 mm
- Épaisseur: 12 mm
Désignation du type : 2N1100
Matériau du transistor : Ge
Polarité : PNP
Dissipation de puissance maximale du collecteur (Pc) : 150 W
Tension collecteur-base maximale |Vcb| : 100 V
Tension collecteur-émetteur maximale |Vce| : 80 V
Tension émetteur-base maximale |Veb| : 65 V
Courant de collecteur maximal |Ic max| : 15 A
Température de jonction de fonctionnement maximale (Tj) : 95 °C
Fréquence de transition (ft) : 0,15 MHz
Rapport de transfert de courant direct (hFE), MIN : 25
Paquet: TO36