Transistor N MOSFET FDC6306P (Lot de 2)

TRANSISTOR DOUBLE MOSFET P 20V 1,9A

Vente par lot de 2 pièces

Fabricant: ONSEMI
Appellation fabricant: FDC6306P 

Type de canal: Canal P
Tension drain source Vds, Canal P: 20 V
Courant de drain continu Id, Canal P: 1.9 A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P: 0.17 ohm
Type de boîtier de transistor: Super SOT23-6
Nombre de broches: 6 Pins
Dissipation de puissance, Canal P: 960 mW
Faible charge de grille
Vitesse de commutation rapide
Technologie Trench haute performance pour un avoir un RDS(ON) extrêmement faible
Température de fonctionnement max.: 150°C
Gamme de produit: PowerTrench Series