Transistor N MOSFET IRF7101PBF
Fabricant: INTERNATIONA RECTIFIER
Appellation fabricant: IRF7101PBF
Composant neuf
Capacitance d'entrée typique à Vds: 320 pF V à 15
Catégorie: MOSFET de puissance
Charge de Grille type à Vgs: 15 nC V à 10
Configuration Double, Double Drain
Courant continu de Drain maximum: 3,5 A
Dimensions: 5 x 4 x 1.5mm
Dissipation de puissance maximum: 2 W
Hauteu:r 1.5mm
Largeur: 4mm
Longueur: 5mm
Mode canal Enhancement
Nombre d'éléments par circuit: 2
Nombre de broche: 8
Retard au blocage typique: 24 ns
Retard à la conduction typique: 7 ns
Résistance Drain Source maximum: O0,1
Température d'utilisation maximum:+150 °C
Température de fonctionnement minimum: -55 °C
Tension Drain Source maximum: 20 V
Tension Grille Source maximum: ±12 V
Type de boîtier: SOIC
Type de canal: N
Type de montage: CMS