Transistor NPN Si 2N1990
Fabricant: TEXAS INSTRUMENTS/SESCOSEM
Appellation fabricant:
- TEXAS INSTRUMENTS: 2N 1990
- COSEM: 2N 1990
Composant neuf
Nom du transistor: 2N1990
Matériel 2N1990 : Si
La structure de transistor: npn
Puissance dissipée au collecteur (continue) maximale (Pc): 600mW
Tension continue collecteur-base maximale (Ucb): 100V
Tension continue collecteur-émetteur maximale (Uce): 60V
Tension continue émetteur-base maximale (Ueb): 3V
Courant continu de collecteur maximal (Ic max): 1A
Limite de température de jonction pn (Tj): 175?C
Fréquence de transition (Ft): 40MHz
Capacité collecteur (Cc), Pf: 20
Valeur statique du rapport de transfert direct du courant (Hfe), min/max: 20MIN
Fabricant: MOTOROLA
Corps: TO5
Application du transistor: Low Power, Medium Voltage, General Purpose