Transistor P MOSFET VP0610T1

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MOSFET P ENHANCEMENT SOT23

Fabricant: SILICONIX
Appellation fabricant: VP 0610-T1 
Composant neuf

Polarité transistor: N Channel
Tension Vds max.: -60V
Résistance Rds(on): <10 ohm
Tension, Vgs th typ.: 2.1V
Courant, Id max.: 120mA
Courant, Idm impul.: 400mA
Nombre de transistors: 1
Puissance Pd: 360mW à 25°C
Température de fonctionnement: -50°C à +150°C
Tension, Vgs max.: +/-30V
Type de boîtier: SOT23
Nombre de broches: 3
Type de terminaison: CMS